La poudre de siliciure de cobalt présente les caractéristiques d'une faible résistivité et d'une bonne stabilité thermique et est principalement utilisée pour les circuits intégrés à grande échelle. De plus, le siliciure de cobalt possède une structure cristalline similaire à celle du silicium, ce qui permet la formation de structures épitaxiales CoSi2/Si sur des substrats de silicium.
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